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jn江南娱乐-三星电子、SK海力士计划大幅提前晶圆厂竣工时间
2026-08-08 16:34:55

  

【CNMO科技动静】7月3日,据韩媒报导,三星电子、SK海力士规划年夜幅提早平泽工场与龙仁半导体财产集群的竣工时间。外界由此猜测,各泰半导体装备厂商的定单范围也将于短时间内快速扩张。

三星电子、SK海力士计划大幅提前晶圆厂竣工时间

据CNMO科技相识,三星电子与SK海力士近期与当局告竣和谈,调解装备投资时间表:一边推进西南区域全新半导体集群设置装备摆设,一边将当前于建的京畿道平泽、龙仁工场提早竣工。当局要求两家企业年夜幅缩短京畿道扩产项目周期,力争5年内将高端DRAM产能晋升至现有两倍。

三星电子、SK海力士计划大幅提前晶圆厂竣工时间

SK海力士原规划2045年落成的龙仁半导体集群工期直接提早12年,规划2033年前完成第四座晶圆厂设置装备摆设。后续分阶段投产配套出产装备,龙仁集群总体总投资额将达600万亿韩元。

三星电子一样规划提早落地平泽半导体产线。此前行业预估,本年下半年平泽5厂(P5)一期主体工程开工,来岁下半年正式投产;平泽6厂(P5 Fab2)才刚启动基础施工。

但三星电子调解设置装备摆设方案,再也不分批次前后建筑P5与P5 Fab2,改成同步施工压缩工期。同时,原定在2047年竣工的龙仁国度财产园区,设置装备摆设周期缩短7年,规划2040年前全数落成。

三星电子、SK海力士计划大幅提前晶圆厂竣工时间

这次提早落地的投资重点聚焦高带宽内存(HBM)所需高端DRAM产线搭建,是以相干装备企业将率先迎来定单增加。三星电子规划于P5与P5 Fab2全数打造适配HBM四、HBM4E的1c制程DRAM专属产线,同时可切换至来岁年底量产的10纳米级第七代(1d)DRAM工艺,1d DRAM将用在第九代HBM5E芯片制造。

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